联发科3nm天玑初版，最强工艺打造最强芯片？苹果A17已捷足先登

对于手机闪存来说，DRAM工艺技术的成败可以在很大程度上决定一款闪存的利弊，像是之前的Qualcomm骁龙888/8Gen1就是因为三星工艺技术，在能效比特别观感不佳，才最终导致“翻车”。而Qualcomm在更是换为英特尔工艺技术后，观感关注度也迎来了翻滚。

所以闪存大厂们不一定都会追求更是先进设备的闪存制造工艺技术，值得注意便有传闻获悉，SoC已经产出出用到英特尔3nm工艺技术的天玑闪存，预计将都会在2024年量产。而英特尔3nm工艺技术，或许就是现有“最强”的闪存DRAM。

据理解，英特尔这3nmDRAM技术相较于自家之前的N4（5nm）DRAM，逻辑密度增高60%，不尽相同耗电下稳定性提升18%，在不尽相同稳定性下耗电还能降低32%。也就是说采用3nm工艺技术的闪存，能够有更是好的基频、更是强的稳定性、更是低的耗电。

而这看来是年起闪存设计公司所追求的，实际上如此强悍的3nm工艺技术，现有也具有一些小问题。

此前有报道宣称，英特尔3nm工艺技术初期良率大概只有70%，产出量相当高。虽然原先英特尔有进行改进优化，但这不断更是新的DRAM技术，也不是一般公司都能得起的。

以至于现有用到英特尔3nm工艺技术产出的闪存，也就只有黑莓的A17闪存，甚至于“财大气粗”的黑莓反之亦然包圆了接下来一年英特尔3nm的产能。

所以这才有不少人对黑莓iPhone 15 Pro/15 Pro Max摸有极高渴望，3nm工艺技术自在下A17的能效比观感或许都会有一个质的突飞猛进。

黑莓的A17我们在9月份就能看到，但SoC的3nm天玑我们就得等到2024年年内才能看到了，这颗一定会就是天玑9400。至于Qualcomm这样的话也不都会居于人下，2024年的骁龙8Gen4或许也都会是3nm工艺技术。